casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT49H16M18FM-33:B
Número de pieza del fabricante | MT49H16M18FM-33:B |
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Número de parte futuro | FT-MT49H16M18FM-33:B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT49H16M18FM-33:B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | DRAM |
Tamaño de la memoria | 288Mb (16M x 18) |
Frecuencia de reloj | 300MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 144-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 144-µBGA (18.5x11) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT49H16M18FM-33:B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT49H16M18FM-33:B-FT |
MT47H32M16HR-3:G
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-3:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16NF-25E AUT:H
Micron Technology Inc.
MT47H32M16U67A3WC1
Micron Technology Inc.
MT47H512M4EB-187E:C
Micron Technology Inc.
MT47H512M4EB-25E:C
Micron Technology Inc.
MT47H512M4EB-25E:C TR
Micron Technology Inc.
MT47H512M4EB-3:C
Micron Technology Inc.
MT47H512M4THN-25E:H
Micron Technology Inc.
MT47H512M4THN-25E:M
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel