casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT52L1G64D8QC-107 WT ES:B
Número de pieza del fabricante | MT52L1G64D8QC-107 WT ES:B |
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Número de parte futuro | FT-MT52L1G64D8QC-107 WT ES:B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT52L1G64D8QC-107 WT ES:B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Tamaño de la memoria | 64Gb (1G x 64) |
Frecuencia de reloj | 933MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.2V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT52L1G64D8QC-107 WT ES:B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT52L1G64D8QC-107 WT ES:B-FT |
MT49H16M18CFM-33:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M18CFM-5 IT
Micron Technology Inc.
MT49H16M18CTR-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M18FM-25 IT:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M18FM-25 IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M18FM-25 TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M18FM-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M18FM-33 TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M18FM-33:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M18FM-33:B TR
Micron Technology Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel