casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT52L256M32D1PH-107 WT ES:B TR
Número de pieza del fabricante | MT52L256M32D1PH-107 WT ES:B TR |
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Número de parte futuro | FT-MT52L256M32D1PH-107 WT ES:B TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT52L256M32D1PH-107 WT ES:B TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Tamaño de la memoria | 8Gb (256M x 32) |
Frecuencia de reloj | 933MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.2V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT52L256M32D1PH-107 WT ES:B TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT52L256M32D1PH-107 WT ES:B TR-FT |
MT49H16M18FM-25 IT:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M18FM-25 IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M18FM-25 TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M18FM-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M18FM-33 TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M18FM-33:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M18FM-33:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M36BM-18 IT:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M36BM-18 IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M36BM-18:B
Micron Technology Inc.
XC7K325T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-2VQ100
Microsemi Corporation
EP3C55U484C8
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FFG665I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQC208-2
Intel