casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53B256M32D1DS-062 AUT:C TR
Número de pieza del fabricante | MT53B256M32D1DS-062 AUT:C TR |
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Número de parte futuro | FT-MT53B256M32D1DS-062 AUT:C TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B256M32D1DS-062 AUT:C TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 8Gb (256M x 32) |
Frecuencia de reloj | 1600MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B256M32D1DS-062 AUT:C TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53B256M32D1DS-062 AUT:C TR-FT |
MT41K256M16TW-093:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107 AUT:P
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107 AUT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16V00HWC1
Micron Technology Inc.
MT41K256M4DA-107:J
Micron Technology Inc.
MT41K256M4DA-107:J TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M4DA-125:K
Micron Technology Inc.
MT41K512M4DA-125:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107 V:P
Micron Technology Inc.
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel
5AGXFA5H4F35I3
Intel
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP4SGX70HF35C3
Intel