casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT41K256M16TW-107 AUT:P
Número de pieza del fabricante | MT41K256M16TW-107 AUT:P |
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Número de parte futuro | FT-MT41K256M16TW-107 AUT:P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
MT41K256M16TW-107 AUT:P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3L |
Tamaño de la memoria | 4Gb (256M x 16) |
Frecuencia de reloj | 933MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.283V ~ 1.45V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT41K256M16TW-107 AUT:P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT41K256M16TW-107 AUT:P-FT |
MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AECABH1-10ITZ:A
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AECABH1-10ITZ:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AECABH1-10Z:A
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AECABH1-10Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AECDBJ4-6IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AECDBJ4-6IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D TR
Micron Technology Inc.