casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A
Número de pieza del fabricante | MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A |
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Número de parte futuro | FT-MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 512Gb (64G x 8) |
Frecuencia de reloj | 333MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A-FT |
MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EMCAGJ4-5M:A
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EMCAGJ4-5M:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AKCBBH7-6IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AUCABH3-10Z:A
Micron Technology Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I1
Intel
EP4SE820F43I4N
Intel
5SGXMA7K1F35C2LN
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
XC2VP30-7FFG896C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG144
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC4C7U19C8N
Intel
EP1S25F1020C5
Intel