casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT41K512M8DA-107 V:P
Número de pieza del fabricante | MT41K512M8DA-107 V:P |
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Número de parte futuro | FT-MT41K512M8DA-107 V:P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT41K512M8DA-107 V:P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3L |
Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frecuencia de reloj | 933MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.283V ~ 1.45V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT41K512M8DA-107 V:P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT41K512M8DA-107 V:P-FT |
MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABAL84A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABAL84A3WC1-M
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABBWP-12IT:B
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABBWP-12IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABBWPR:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBJ4-5M:G
Micron Technology Inc.
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation