casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT41K256M4DA-107:J
Número de pieza del fabricante | MT41K256M4DA-107:J |
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Número de parte futuro | FT-MT41K256M4DA-107:J |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT41K256M4DA-107:J Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3 |
Tamaño de la memoria | 1Gb (256M x 4) |
Frecuencia de reloj | 933MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.283V ~ 1.45V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 78-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 78-FBGA (8x10.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT41K256M4DA-107:J Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT41K256M4DA-107:J-FT |
MT29F64G08AECABH1-10Z:A
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AECABH1-10Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AECDBJ4-6IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AECDBJ4-6IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABAL84A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABAL84A3WC1-M
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABBWP-12IT:B
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABBWP-12IT:B TR
Micron Technology Inc.
XC3S50A-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
5AGZME5K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E5G
Intel
AX500-FGG676M
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation