casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT49H32M18SJ-18:B TR
Número de pieza del fabricante | MT49H32M18SJ-18:B TR |
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Número de parte futuro | FT-MT49H32M18SJ-18:B TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT49H32M18SJ-18:B TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | DRAM |
Tamaño de la memoria | 576Mb (32M x 18) |
Frecuencia de reloj | 533MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 15ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 144-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 144-FBGA (18.5x11) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT49H32M18SJ-18:B TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT49H32M18SJ-18:B TR-FT |
MT47H64M8CB-37E:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37E:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37V:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37V:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-3:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-5E IT:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-5E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-5E:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-5E:B TR
Micron Technology Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I1
Intel
EP4SE820F43I4N
Intel
5SGXMA7K1F35C2LN
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
XC2VP30-7FFG896C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG144
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC4C7U19C8N
Intel
EP1S25F1020C5
Intel