casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT47H64M8CB-5E:B
Número de pieza del fabricante | MT47H64M8CB-5E:B |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT47H64M8CB-5E:B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT47H64M8CB-5E:B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tamaño de la memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 600ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 60-FBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 60-FBGA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H64M8CB-5E:B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT47H64M8CB-5E:B-FT |
MT46V32M16FN-75 L:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-75 L:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-75:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-75:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M8BG-5B:GTR
Micron Technology Inc.
MT46V32M8BG-6 IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M8BG-6:GTR
Micron Technology Inc.
MT46V32M8BG-75:G
Micron Technology Inc.
MT46V32M8BG-75:G TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M8FG-5B:G TR
Micron Technology Inc.
EPF10K10TC144-4
Intel
A3P125-2PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5K2F35C3N
Intel
XC4028XL-1BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3C80F780C8N
Intel