casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT47H64M8CB-3:B
Número de pieza del fabricante | MT47H64M8CB-3:B |
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Número de parte futuro | FT-MT47H64M8CB-3:B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT47H64M8CB-3:B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tamaño de la memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frecuencia de reloj | 333MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 450ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 60-FBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 60-FBGA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H64M8CB-3:B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT47H64M8CB-3:B-FT |
MT46V32M16FN-6:F
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-6:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-75 IT:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-75 IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-75 L:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-75 L:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-75:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-75:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M8BG-5B:GTR
Micron Technology Inc.
MT46V32M8BG-6 IT:G TR
Micron Technology Inc.
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel