casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT47H64M8CB-37E:B TR
Número de pieza del fabricante | MT47H64M8CB-37E:B TR |
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Número de parte futuro | FT-MT47H64M8CB-37E:B TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT47H64M8CB-37E:B TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tamaño de la memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frecuencia de reloj | 267MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 500ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 60-FBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 60-FBGA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H64M8CB-37E:B TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT47H64M8CB-37E:B TR-FT |
MT46V32M16FN-6 IT:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-6:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-6:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-6:F
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-6:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-75 IT:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-75 IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-75 L:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-75 L:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-75:C
Micron Technology Inc.
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N1F45C2LN
Intel
A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel