casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT46V128M4TG-75:D
Número de pieza del fabricante | MT46V128M4TG-75:D |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT46V128M4TG-75:D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT46V128M4TG-75:D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR |
Tamaño de la memoria | 512Mb (128M x 4) |
Frecuencia de reloj | 133MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 750ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.3V ~ 2.7V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 66-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT46V128M4TG-75:D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT46V128M4TG-75:D-FT |
NAND16GW3D2BN6E
Micron Technology Inc.
NAND16GW3F2AN6E
Micron Technology Inc.
NAND256W3A2BN6E
Micron Technology Inc.
NAND256W3A2BNXE
Micron Technology Inc.
NAND32GW3F4AN6E
Micron Technology Inc.
NAND512W3A2CN6E
Micron Technology Inc.
NAND512W3A2DN6E
Micron Technology Inc.
NAND512W3A2SNXE
Micron Technology Inc.
NAND512W4A0AN6E
Micron Technology Inc.
TE28F160B3BD70A
Micron Technology Inc.
XCVU080-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
A54SX08A-2FG144I
Microsemi Corporation
AGL400V2-FG484I
Microsemi Corporation
EP1S10F484I6N
Intel
10AX032H3F34I2LG
Intel
EP3SL110F1152C4LN
Intel
XC5VLX30-1FFG324CES
Xilinx Inc.
5AGXBB7D6F35C6N
Intel
EP1C12F324C6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel