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Número de pieza del fabricante | NAND16GW3D2BN6E |
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Número de parte futuro | FT-NAND16GW3D2BN6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NAND16GW3D2BN6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 16Gb (2G x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 25ns |
Tiempo de acceso | 25ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND16GW3D2BN6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NAND16GW3D2BN6E-FT |
MT29F2G08AABWP-ET TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08AACWP:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08AADWP-ET:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08AADWP:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-ITX:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABCWP:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABDWP:D
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABDWP:D TR
Micron Technology Inc.
XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
Intel
EP4CGX150CF23I7
Intel
LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C5NES
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel
10AX016E3F27E1HG
Intel
EP20K60EFC324-2
Intel