casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F2G08ABDWP:D TR
Número de pieza del fabricante | MT29F2G08ABDWP:D TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29F2G08ABDWP:D TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2G08ABDWP:D TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP I |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G08ABDWP:D TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F2G08ABDWP:D TR-FT |
M29W800DT70N6
Micron Technology Inc.
M29W800DT70N6E
Micron Technology Inc.
M29W800DT70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W800DT90N1
Micron Technology Inc.
M29W800FB70N3F TR
Micron Technology Inc.
MT28F400B3WG-8 B
Micron Technology Inc.
MT28F400B3WG-8 B TR
Micron Technology Inc.
MT28F400B3WG-8 BET
Micron Technology Inc.
MT28F400B3WG-8 BET TR
Micron Technology Inc.
MT28F400B3WG-8 T
Micron Technology Inc.