casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F2G08ABAEAWP:E
Número de pieza del fabricante | MT29F2G08ABAEAWP:E |
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Número de parte futuro | FT-MT29F2G08ABAEAWP:E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2G08ABAEAWP:E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP I |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G08ABAEAWP:E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F2G08ABAEAWP:E-FT |
M29W800DB90N1
Micron Technology Inc.
M29W800DT45N6E
Micron Technology Inc.
M29W800DT70N1
Micron Technology Inc.
M29W800DT70N6
Micron Technology Inc.
M29W800DT70N6E
Micron Technology Inc.
M29W800DT70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W800DT90N1
Micron Technology Inc.
M29W800FB70N3F TR
Micron Technology Inc.
MT28F400B3WG-8 B
Micron Technology Inc.
MT28F400B3WG-8 B TR
Micron Technology Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I1
Intel
EP4SE820F43I4N
Intel
5SGXMA7K1F35C2LN
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
XC2VP30-7FFG896C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG144
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC4C7U19C8N
Intel
EP1S25F1020C5
Intel