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Número de pieza del fabricante | NAND512W3A2SNXE |
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Número de parte futuro | FT-NAND512W3A2SNXE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NAND512W3A2SNXE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 50ns |
Tiempo de acceso | 50ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND512W3A2SNXE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NAND512W3A2SNXE-FT |
MT29F2G08ABCWP:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABDWP:D
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABDWP:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G16AABWP TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G16AABWP-ET TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G16AADWP-ET:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G16AADWP:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABAEAWP-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABAEAWP:E
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABAAAWP-IT:A
Micron Technology Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel