casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F2G16ABAEAWP:E
Número de pieza del fabricante | MT29F2G16ABAEAWP:E |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT29F2G16ABAEAWP:E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2G16ABAEAWP:E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP I |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G16ABAEAWP:E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F2G16ABAEAWP:E-FT |
MT28F400B3WG-8 B TR
Micron Technology Inc.
MT28F400B3WG-8 BET
Micron Technology Inc.
MT28F400B3WG-8 BET TR
Micron Technology Inc.
MT28F400B3WG-8 T
Micron Technology Inc.
MT28F400B3WG-8 T TR
Micron Technology Inc.
MT28F400B3WG-8 TET
Micron Technology Inc.
MT28F400B3WG-8 TET TR
Micron Technology Inc.
MT28F400B5WG-8 B
Micron Technology Inc.
MT28F400B5WG-8 B TR
Micron Technology Inc.
MT28F400B5WG-8 BET
Micron Technology Inc.
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel