casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / TE28F160B3BD70A
Número de pieza del fabricante | TE28F160B3BD70A |
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Número de parte futuro | FT-TE28F160B3BD70A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TE28F160B3BD70A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - Boot Block |
Tamaño de la memoria | 16Mb (1M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TE28F160B3BD70A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TE28F160B3BD70A-FT |
MT29F2G08ABDWP:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G16AABWP TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G16AABWP-ET TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G16AADWP-ET:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G16AADWP:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABAEAWP-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABAEAWP:E
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABAAAWP-IT:A
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABAAAWP:A
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AFABAWP-IT:B
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel