casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F64G08CBCGBWP-BES:G TR
Número de pieza del fabricante | MT29F64G08CBCGBWP-BES:G TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29F64G08CBCGBWP-BES:G TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F64G08CBCGBWP-BES:G TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 64Gb (8G x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F64G08CBCGBWP-BES:G TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F64G08CBCGBWP-BES:G TR-FT |
MT29F512G08CMCBBH7-6C:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCBBH7-6R:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCBBH7-6R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCCBH7-6ITR:C
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCCBH7-6ITR:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCCBH7-6R:C
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCCBH7-6R:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCEBJ4-37ITRES:E
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCEBJ4-37ITRES:E TR
Micron Technology Inc.
APA750-FG896A
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1CQC
Microchip Technology
EP4CE6F17C8
Intel
10AX027H2F35I2LG
Intel
A42MX09-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C4N
Intel
5CEFA2M13C8N
Intel
EP4SGX110FF35C2XN
Intel