casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B
Número de pieza del fabricante | MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B |
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Número de parte futuro | FT-MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 512Gb (64G x 8) |
Frecuencia de reloj | 166MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B-FT |
MT29F4G08ABADAWP-E:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAWP:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAH4-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAH4-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAH4-S:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAH4-S:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAH4:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAFAH4-AITES:F
Micron Technology Inc.
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PE3000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C16F256I7
Intel
5SGSED6K1F40C2L
Intel
XC5VLX50T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K160T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
XC4VLX15-11FF676I
Xilinx Inc.
LFE2-70SE-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation