casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F TR

| Número de pieza del fabricante | MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F TR |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F TR |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | Automotive, AEC-Q100 |
| MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de memoria | Non-Volatile |
| Formato de memoria | FLASH |
| Tecnología | FLASH - NAND |
| Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
| Frecuencia de reloj | - |
| Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
| Tiempo de acceso | - |
| interfaz de memoria | Parallel |
| Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Tipo de montaje | - |
| Paquete / Caja | - |
| Paquete del dispositivo del proveedor | - |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F TR Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F TR-FT |

MT29F2T08CTCBBJ7-6C:B
Micron Technology Inc.

MT29F2T08CTCBBJ7-6R:B TR
Micron Technology Inc.

MT29F2T08CTCCBJ7-6C:C
Micron Technology Inc.

MT29F2T08CTCCBJ7-6C:C TR
Micron Technology Inc.

MT29F2T08CTCCBJ7-6R:C
Micron Technology Inc.

MT29F2T08CTCCBJ7-6R:C TR
Micron Technology Inc.

MT29F2T08CUCBBK9-37:B
Micron Technology Inc.

MT29F2T08CUCBBK9-37:B TR
Micron Technology Inc.

MT29F2T08CUCBBK9-37ES:B
Micron Technology Inc.

MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR
Micron Technology Inc.

A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation

LCMXO3L-4300C-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation

EP4SGX290NF45I4N
Intel

XC7VX690T-2FFG1761C
Xilinx Inc.

XC7S50-1CSGA324C
Xilinx Inc.

APA075-TQG100
Microsemi Corporation

A42MX24-3PLG84I
Microsemi Corporation

LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation

EPF10K50SBC356-2X
Intel

5SGXMA3H2F35C2N
Intel