casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F TR
Número de pieza del fabricante | MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F TR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F TR-FT |
MT29F2T08CTCBBJ7-6C:B
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CTCBBJ7-6R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CTCCBJ7-6C:C
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CTCCBJ7-6C:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CTCCBJ7-6R:C
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CTCCBJ7-6R:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CUCBBK9-37:B
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CUCBBK9-37:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CUCBBK9-37ES:B
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel
5AGXFA5H4F35I3
Intel
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP4SGX70HF35C3
Intel