casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR
Número de pieza del fabricante | MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 2Tb (256G x 8) |
Frecuencia de reloj | 333MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR-FT |
MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKEDBJ5-12:D
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKEDBJ5-12:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKEDBJ5-12IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMAAAC5:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMAAAC5:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCABH2-12ITZ:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCABH2-12ITZ:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCABH2-12Z:A
Micron Technology Inc.
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FG484I
Microsemi Corporation
M2GL050TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40C4N
Intel
EP2AGZ350FH29I4N
Intel
5SGSED6N1F45I2N
Intel
XC5VFX130T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
EPF10K70RC240-3N
Intel
5AGZME1H3F35C4N
Intel