casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F256G08CKEDBJ5-12:D
Número de pieza del fabricante | MT29F256G08CKEDBJ5-12:D |
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Número de parte futuro | FT-MT29F256G08CKEDBJ5-12:D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F256G08CKEDBJ5-12:D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 256Gb (32G x 8) |
Frecuencia de reloj | 83MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F256G08CKEDBJ5-12:D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F256G08CKEDBJ5-12:D-FT |
MT29F1T08CUCABK8-6:A
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CUCABK8-6:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CUCBBH8-6C:B
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CUCBBH8-6ITR:B
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CUCBBH8-6R:B
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CUCBBH8-6R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CUCCBH8-6ITR:C
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CUCCBH8-6ITR:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CUCCBH8-6R:C
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CUCCBH8-6R:C TR
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel