casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F2T08CTCCBJ7-6R:C TR
Número de pieza del fabricante | MT29F2T08CTCCBJ7-6R:C TR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT29F2T08CTCCBJ7-6R:C TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2T08CTCCBJ7-6R:C TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 2Tb (256G x 8) |
Frecuencia de reloj | 167MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2T08CTCCBJ7-6R:C TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F2T08CTCCBJ7-6R:C TR-FT |
MT29F256G08CKCABH2-10:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKCABH2-12:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKCBBH2-10:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKCBBH2-10:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKEDBJ5-12:D
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKEDBJ5-12:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKEDBJ5-12IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMAAAC5:A
Micron Technology Inc.
XC2V250-6FG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208
Microsemi Corporation
A42MX24-FPQG208
Microsemi Corporation
EP1K10TI100-2
Intel
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC7K325T-3FFG900E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
Intel