casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F512G08CMCBBH7-6R:B
Número de pieza del fabricante | MT29F512G08CMCBBH7-6R:B |
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Número de parte futuro | FT-MT29F512G08CMCBBH7-6R:B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F512G08CMCBBH7-6R:B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 512Gb (64G x 8) |
Frecuencia de reloj | 166MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F512G08CMCBBH7-6R:B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F512G08CMCBBH7-6R:B-FT |
MT29F4G08ABADAWP:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAH4-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAH4-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAH4-S:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAH4-S:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAH4:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAFAH4-AITES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAFAH4-AITES:F TR
Micron Technology Inc.
XCV150-4FG256C
Xilinx Inc.
XA3S100E-4VQG100Q
Xilinx Inc.
XC4013-5PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1VFG400
Microsemi Corporation
EP2C35U484C8
Intel
EPF10K200SFC484-2
Intel
EP4SGX290KF40I3
Intel
A40MX04-FPLG84
Microsemi Corporation
10AX032E2F27E1HG
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel