casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F512G08CMCCBH7-6R:C TR

| Número de pieza del fabricante | MT29F512G08CMCCBH7-6R:C TR |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-MT29F512G08CMCCBH7-6R:C TR |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| MT29F512G08CMCCBH7-6R:C TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de memoria | Non-Volatile |
| Formato de memoria | FLASH |
| Tecnología | FLASH - NAND |
| Tamaño de la memoria | 512Gb (64G x 8) |
| Frecuencia de reloj | 166MHz |
| Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
| Tiempo de acceso | - |
| interfaz de memoria | Parallel |
| Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo de montaje | - |
| Paquete / Caja | - |
| Paquete del dispositivo del proveedor | - |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT29F512G08CMCCBH7-6R:C TR Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | MT29F512G08CMCCBH7-6R:C TR-FT |

MT29F4G08ABAEAH4:E
Micron Technology Inc.

MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F
Micron Technology Inc.

MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F TR
Micron Technology Inc.

MT29F4G08ABAFAH4-AITES:F
Micron Technology Inc.

MT29F4G08ABAFAH4-AITES:F TR
Micron Technology Inc.

MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F
Micron Technology Inc.

MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR
Micron Technology Inc.

MT29F4G08ABAFAM70A3WC1
Micron Technology Inc.

MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F
Micron Technology Inc.

MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F TR
Micron Technology Inc.

LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation

EP1S25B672C6N
Intel

XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.

XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.

AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation

ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation

EP2AGX45DF29C4N
Intel

EPF10K30RC208-3N
Intel

5SGXMA3H1F35C1N
Intel