casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F4T08CTHBBM5-3RES:B TR
Número de pieza del fabricante | MT29F4T08CTHBBM5-3RES:B TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29F4T08CTHBBM5-3RES:B TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F4T08CTHBBM5-3RES:B TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 4Tb (512G x 8) |
Frecuencia de reloj | 333MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F4T08CTHBBM5-3RES:B TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F4T08CTHBBM5-3RES:B TR-FT |
MT29F32G08CBECBL73A3WC1P
Micron Technology Inc.
MT29F384G08EBCBBJ4-37:B
Micron Technology Inc.
MT29F384G08EBCBBJ4-37:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F384G08EBCBBJ4-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F384G08EBHBBB0KB3WC1-R
Micron Technology Inc.
MT29F384G08EBHBBJ4-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F3T08EQCBBG2-37:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F3T08EQCBBG2-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F3T08EQHBBG2-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F3T08EQHBBG2-3RES:B TR
Micron Technology Inc.