casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F384G08EBHBBB0KB3WC1-R
Número de pieza del fabricante | MT29F384G08EBHBBB0KB3WC1-R |
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Número de parte futuro | FT-MT29F384G08EBHBBB0KB3WC1-R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F384G08EBHBBB0KB3WC1-R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 384Gb (48G x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F384G08EBHBBB0KB3WC1-R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F384G08EBHBBB0KB3WC1-R-FT |
MT29F2G01AAAEDH4-ITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G01AAAEDH4:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABAGDSF-IT:G
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABBGDM79A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABBGDSF-IT:G
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABBGDSF-IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-E:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-E:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel