casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F384G08EBHBBB0KB3WC1-R
Número de pieza del fabricante | MT29F384G08EBHBBB0KB3WC1-R |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT29F384G08EBHBBB0KB3WC1-R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F384G08EBHBBB0KB3WC1-R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 384Gb (48G x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F384G08EBHBBB0KB3WC1-R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F384G08EBHBBB0KB3WC1-R-FT |
MT29F2G01AAAEDH4-ITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G01AAAEDH4:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABAGDSF-IT:G
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABBGDM79A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABBGDSF-IT:G
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABBGDSF-IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-E:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-E:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E TR
Micron Technology Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I1
Intel
EP4SE820F43I4N
Intel
5SGXMA7K1F35C2LN
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
XC2VP30-7FFG896C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG144
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC4C7U19C8N
Intel
EP1S25F1020C5
Intel