casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F2G01ABAGDSF-IT:G
Número de pieza del fabricante | MT29F2G01ABAGDSF-IT:G |
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Número de parte futuro | FT-MT29F2G01ABAGDSF-IT:G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2G01ABAGDSF-IT:G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 2Gb (2G x 1) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 16-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G01ABAGDSF-IT:G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F2G01ABAGDSF-IT:G-FT |
MT29F256G08AUCABH3-10IT:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AUCABH3-10IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AUCABK4-10:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AUCABK4-10:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AUCDBJ6-6:D
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AUCDBJ6-6IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AUCDBJ6-6IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AUEDBJ6-12:D
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AUEDBJ6-12:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBCBBJ4-37:B
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel