casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E TR
Número de pieza del fabricante | MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-VFBGA (9x11) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E TR-FT |
MT29F256G08AUEDBJ6-12:D
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AUEDBJ6-12:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBCBBJ4-37:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBCBBJ4-37:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBCBBJ4-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBCBBJ4-5M:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBCBBWP-10:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBCBBWP-10ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBCBBWP-10M:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBHBBJ4-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
APA750-FG896A
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1CQC
Microchip Technology
EP4CE6F17C8
Intel
10AX027H2F35I2LG
Intel
A42MX09-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C4N
Intel
5CEFA2M13C8N
Intel
EP4SGX110FF35C2XN
Intel