casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F256G08CBHBBJ4-3RES:B TR
Número de pieza del fabricante | MT29F256G08CBHBBJ4-3RES:B TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29F256G08CBHBBJ4-3RES:B TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F256G08CBHBBJ4-3RES:B TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 256Gb (32G x 8) |
Frecuencia de reloj | 333MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F256G08CBHBBJ4-3RES:B TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F256G08CBHBBJ4-3RES:B TR-FT |
MT29F1G16ABBEAHC-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAHC-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAHC:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAHC:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAM68M3WC2
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAMD-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAMD-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1HT08ELCBBG1-37:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1HT08ELCBBG1-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1HT08ELHBBG1-3R:B
Micron Technology Inc.