casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F1G16ABBEAM68M3WC2
Número de pieza del fabricante | MT29F1G16ABBEAM68M3WC2 |
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Número de parte futuro | FT-MT29F1G16ABBEAM68M3WC2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F1G16ABBEAM68M3WC2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 1Gb (64M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1G16ABBEAM68M3WC2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F1G16ABBEAM68M3WC2-FT |
MT29F128G08CFABAWP-IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFABAWP:B
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFABAWP:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFCGBWP-10M:G
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBCBBJ4-6:B
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBCDBB05A3WC1ES
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBCDBJ4-37ES:D
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBCDBJ4-37ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBCDBJ4-5M:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBCDBWP-10M:D TR
Micron Technology Inc.