casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F128G08EBCDBWP-10M:D TR
Número de pieza del fabricante | MT29F128G08EBCDBWP-10M:D TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29F128G08EBCDBWP-10M:D TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F128G08EBCDBWP-10M:D TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 128Gb (16G x 8) |
Frecuencia de reloj | 100MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F128G08EBCDBWP-10M:D TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F128G08EBCDBWP-10M:D TR-FT |
MT29F128G08AJAAAWP-Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08AKAAAC5-IT:A
Micron Technology Inc.
MT29F128G08AKAAAC5-ITZ:A
Micron Technology Inc.
MT29F128G08AKAAAC5-Z:A
Micron Technology Inc.
MT29F128G08AKAAAC5:A
Micron Technology Inc.
MT29F128G08AKCABH2-10:A
Micron Technology Inc.
MT29F128G08AKCABH2-10:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08AKCDBJ5-6:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08AKCDBJ5-6IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F128G08AKCDBJ5-6IT:D TR
Micron Technology Inc.
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel