casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F1G16ABBEAMD-IT:E TR
Número de pieza del fabricante | MT29F1G16ABBEAMD-IT:E TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29F1G16ABBEAMD-IT:E TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F1G16ABBEAMD-IT:E TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 1Gb (64M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 130-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 130-VFBGA (8x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1G16ABBEAMD-IT:E TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F1G16ABBEAMD-IT:E TR-FT |
MT29F128G08CFABAWP:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFCGBWP-10M:G
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBCBBJ4-6:B
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBCDBB05A3WC1ES
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBCDBJ4-37ES:D
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBCDBJ4-37ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBCDBJ4-5M:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBCDBWP-10M:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBEBBB95A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBEBBB95A3WC1-M
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FI484-2
Intel
XC7VX485T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC2VP20-6FFG896C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-N3CSG225I
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FTQG100
Microsemi Corporation
EP1C4F324C8N
Intel
EP4SGX360HF35C2
Intel
EP2A40F1020C8ES
Intel