casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F3T08EQCBBG2-37:B TR
Número de pieza del fabricante | MT29F3T08EQCBBG2-37:B TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29F3T08EQCBBG2-37:B TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F3T08EQCBBG2-37:B TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 3Tb (384G x 8) |
Frecuencia de reloj | 267MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F3T08EQCBBG2-37:B TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F3T08EQCBBG2-37:B TR-FT |
MT29F2G01ABAGDSF-IT:G
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABBGDM79A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABBGDSF-IT:G
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABBGDSF-IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-E:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-E:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAM69A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E
Micron Technology Inc.
XC6SLX100-2FG484I
Xilinx Inc.
EP4S100G2F40I1N
Intel
5SGXMA5H2F35I3LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
XC5VLX330T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC6SLX4-2CPG196I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FBG329
Microsemi Corporation
LCMXO2-256ZE-2UMG64I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4LN
Intel