casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F384G08EBCBBJ4-37:B TR
Número de pieza del fabricante | MT29F384G08EBCBBJ4-37:B TR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT29F384G08EBCBBJ4-37:B TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F384G08EBCBBJ4-37:B TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 384Gb (48G x 8) |
Frecuencia de reloj | 267MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F384G08EBCBBJ4-37:B TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F384G08EBCBBJ4-37:B TR-FT |
MT29F256G08EFEBBWP:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G01AAAEDH4-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G01AAAEDH4-ITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G01AAAEDH4:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABAGDSF-IT:G
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABBGDM79A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABBGDSF-IT:G
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABBGDSF-IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-E:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-E:E TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2280C-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25DF672I6
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
XC7VX690T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
A42MX16-FPLG84
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel
10AX027E1F29I1HG
Intel