casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F256G08CJAAAWP:A
Número de pieza del fabricante | MT29F256G08CJAAAWP:A |
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Número de parte futuro | FT-MT29F256G08CJAAAWP:A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F256G08CJAAAWP:A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 256Gb (32G x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP I |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F256G08CJAAAWP:A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F256G08CJAAAWP:A-FT |
M29W640FT70N6E
Micron Technology Inc.
M29W640GB70NA6E
Micron Technology Inc.
M29W640GB90NA6E
Micron Technology Inc.
M29W640GH70NA6E
Micron Technology Inc.
M29W640GH70NA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GL70NA6E
Micron Technology Inc.
M29W800DB45N6E
Micron Technology Inc.
M29W800DB70N1
Micron Technology Inc.
M29W800DB70N6
Micron Technology Inc.
M29W800DB70N6E
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel