casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W640GH70NA6E
Número de pieza del fabricante | M29W640GH70NA6E |
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Número de parte futuro | FT-M29W640GH70NA6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W640GH70NA6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W640GH70NA6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W640GH70NA6E-FT |
M29F160FT5AN6F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F200BB70N6
Micron Technology Inc.
M29F200BB70N6E
Micron Technology Inc.
M29F200BB70N6T TR
Micron Technology Inc.
M29F200BT70N1
Micron Technology Inc.
M29F200BT70N6E
Micron Technology Inc.
M29F200FT5AN6F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F400BB45N1
Micron Technology Inc.
M29F400BB55N1
Micron Technology Inc.
M29F400BB55N6T TR
Micron Technology Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel