casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29F200BB70N6E
Número de pieza del fabricante | M29F200BB70N6E |
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Número de parte futuro | FT-M29F200BB70N6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29F200BB70N6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 2Mb (256K x 8, 128K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29F200BB70N6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29F200BB70N6E-FT |
MT29F1G08ABCHC-ET:C
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABCHC-ET:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABCHC:C
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABCHC:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBDAH4-IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBDAH4-ITX:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBDAH4:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBDAHC-IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBDAHC:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAH4-ITX:E
Micron Technology Inc.
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N1F45C2LN
Intel
A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel