casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W640GB70NA6E
Número de pieza del fabricante | M29W640GB70NA6E |
---|---|
Número de parte futuro | FT-M29W640GB70NA6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W640GB70NA6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W640GB70NA6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W640GB70NA6E-FT |
M29DW641F70N6E
Micron Technology Inc.
M29DW641F70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29F160FT5AN6F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F200BB70N6
Micron Technology Inc.
M29F200BB70N6E
Micron Technology Inc.
M29F200BB70N6T TR
Micron Technology Inc.
M29F200BT70N1
Micron Technology Inc.
M29F200BT70N6E
Micron Technology Inc.
M29F200FT5AN6F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F400BB45N1
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel