casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W800DB45N6E
Número de pieza del fabricante | M29W800DB45N6E |
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Número de parte futuro | FT-M29W800DB45N6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W800DB45N6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 8Mb (1M x 8, 512K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 45ns |
Tiempo de acceso | 45ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W800DB45N6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W800DB45N6E-FT |
M29F200BB70N6T TR
Micron Technology Inc.
M29F200BT70N1
Micron Technology Inc.
M29F200BT70N6E
Micron Technology Inc.
M29F200FT5AN6F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F400BB45N1
Micron Technology Inc.
M29F400BB55N1
Micron Technology Inc.
M29F400BB55N6T TR
Micron Technology Inc.
M29F400BB70N1
Micron Technology Inc.
M29F400BB70N6
Micron Technology Inc.
M29F400BB70N6E
Micron Technology Inc.
XCVU080-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
A54SX08A-2FG144I
Microsemi Corporation
AGL400V2-FG484I
Microsemi Corporation
EP1S10F484I6N
Intel
10AX032H3F34I2LG
Intel
EP3SL110F1152C4LN
Intel
XC5VLX30-1FFG324CES
Xilinx Inc.
5AGXBB7D6F35C6N
Intel
EP1C12F324C6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel