casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E TR
Número de pieza del fabricante | MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-VFBGA (9x11) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E TR-FT |
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D
Micron Technology Inc.
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PM-1DAT-F-D
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PM-1DAT-F-D TR
Micron Technology Inc.
EDB8164B4PK-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDB8164B4PK-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB8164B4PR-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDB8164B4PR-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB8164B4PT-1D-F-D
Micron Technology Inc.
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel