casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / EDB8164B4PK-1D-F-D
Número de pieza del fabricante | EDB8164B4PK-1D-F-D |
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Número de parte futuro | FT-EDB8164B4PK-1D-F-D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDB8164B4PK-1D-F-D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Tamaño de la memoria | 8Gb (128M x 64) |
Frecuencia de reloj | 533MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 220-WFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 220-FBGA (14x14) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB8164B4PK-1D-F-D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EDB8164B4PK-1D-F-D-FT |
MT53B512M32D2DS-062 AAT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2DS-062 AAT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2DS-062 AIT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2DS-062 AIT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2NP-053 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2NP-053 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2NP-062 AIT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2NP-062 AIT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2NP-062 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2NP-062 WT:C TR
Micron Technology Inc.
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EPF10K50SQC240-1N
Intel
EP1S25F1020C7N
Intel