casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53B512M32D2DS-062 AAT:C TR

| Número de pieza del fabricante | MT53B512M32D2DS-062 AAT:C TR |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-MT53B512M32D2DS-062 AAT:C TR |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| MT53B512M32D2DS-062 AAT:C TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de memoria | Volatile |
| Formato de memoria | DRAM |
| Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Tamaño de la memoria | 16Gb (512M x 32) |
| Frecuencia de reloj | 1600MHz |
| Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
| Tiempo de acceso | - |
| interfaz de memoria | - |
| Suministro de voltaje | 1.1V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Tipo de montaje | - |
| Paquete / Caja | - |
| Paquete del dispositivo del proveedor | - |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT53B512M32D2DS-062 AAT:C TR Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | MT53B512M32D2DS-062 AAT:C TR-FT |

MT44K32M36RB-093E:A TR
Micron Technology Inc.

MT44K32M36RB-107E:A
Micron Technology Inc.

MT44K32M36RB-107E:A TR
Micron Technology Inc.

MT44K64M18RB-083F:A
Micron Technology Inc.

MT44K64M18RB-083F:A TR
Micron Technology Inc.

MT44K64M18RB-093E:A
Micron Technology Inc.

MT44K64M18RB-093E:A TR
Micron Technology Inc.

MT44K64M18RB-107E:A
Micron Technology Inc.

MT44K64M18RB-107E:A TR
Micron Technology Inc.

MT53D1024M64D8PM-053 WT:D TR
Micron Technology Inc.

XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.

M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation

LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation

XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.

AX500-FGG676
Microsemi Corporation

LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation

5CEBA9F31C8N
Intel

EP20K1000EBI652-2X
Intel