casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53B512M32D2DS-062 AIT:C
Número de pieza del fabricante | MT53B512M32D2DS-062 AIT:C |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT53B512M32D2DS-062 AIT:C |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B512M32D2DS-062 AIT:C Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 16Gb (512M x 32) |
Frecuencia de reloj | 1600MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B512M32D2DS-062 AIT:C Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53B512M32D2DS-062 AIT:C-FT |
MT44K32M36RB-107E:A
Micron Technology Inc.
MT44K32M36RB-107E:A TR
Micron Technology Inc.
MT44K64M18RB-083F:A
Micron Technology Inc.
MT44K64M18RB-083F:A TR
Micron Technology Inc.
MT44K64M18RB-093E:A
Micron Technology Inc.
MT44K64M18RB-093E:A TR
Micron Technology Inc.
MT44K64M18RB-107E:A
Micron Technology Inc.
MT44K64M18RB-107E:A TR
Micron Technology Inc.
MT53D1024M64D8PM-053 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D768M64D8SQ-053 WT:E
Micron Technology Inc.
XA6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F484I6N
Intel
5SEE9F45C2LN
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF29I3
Intel
5SGSMD4H3F35I4N
Intel
EPF6016AFC100-1
Intel