casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / EDB8132B4PM-1DAT-F-D

| Número de pieza del fabricante | EDB8132B4PM-1DAT-F-D |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-EDB8132B4PM-1DAT-F-D |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| EDB8132B4PM-1DAT-F-D Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de memoria | Volatile |
| Formato de memoria | DRAM |
| Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
| Tamaño de la memoria | 8Gb (256M x 32) |
| Frecuencia de reloj | 533MHz |
| Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
| Tiempo de acceso | - |
| interfaz de memoria | Parallel |
| Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Tipo de montaje | - |
| Paquete / Caja | - |
| Paquete del dispositivo del proveedor | - |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| EDB8132B4PM-1DAT-F-D Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | EDB8132B4PM-1DAT-F-D-FT |

MT53B384M32D2NP-062 WT:B
Micron Technology Inc.

MT53B384M32D2NP-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.

MT53B512M32D2DS-062 AAT:C
Micron Technology Inc.

MT53B512M32D2DS-062 AAT:C TR
Micron Technology Inc.

MT53B512M32D2DS-062 AIT:C
Micron Technology Inc.

MT53B512M32D2DS-062 AIT:C TR
Micron Technology Inc.

MT53B512M32D2NP-053 WT:C
Micron Technology Inc.

MT53B512M32D2NP-053 WT:C TR
Micron Technology Inc.

MT53B512M32D2NP-062 AIT:C
Micron Technology Inc.

MT53B512M32D2NP-062 AIT:C TR
Micron Technology Inc.

M2GL025-FCSG325I
Microsemi Corporation

M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation

EP4SGX360KF43C3
Intel

XC7S15-1CPGA196C
Xilinx Inc.

A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation

A54SX08A-FGG144
Microsemi Corporation

A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation

LFXP15C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2-6SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation

5CGXFC7C6U19C6N
Intel