casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D
Número de pieza del fabricante | EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D |
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Número de parte futuro | FT-EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Tamaño de la memoria | 4Gb (128M x 32) |
Frecuencia de reloj | 533MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 134-WFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 134-FBGA (10x11.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D-FT |
MT53B256M64D2TG-062 XT:C
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-062 AIT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-062 AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-062 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2DS-062 AAT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2DS-062 AAT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2DS-062 AIT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2DS-062 AIT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2NP-053 WT:C
Micron Technology Inc.
XC2S100-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC5202-5PQ100C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
APA300-FG256M
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208
Microsemi Corporation
EP20K600CF672C8
Intel
10CL010YU256C8G
Intel
5SGSMD5H3F35I3LN
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC7K355T-2FF901I
Xilinx Inc.