casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MB85RS256APNF-G-JNE1
Número de pieza del fabricante | MB85RS256APNF-G-JNE1 |
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Número de parte futuro | FT-MB85RS256APNF-G-JNE1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MB85RS256APNF-G-JNE1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FRAM |
Tecnología | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Tamaño de la memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frecuencia de reloj | 25MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB85RS256APNF-G-JNE1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MB85RS256APNF-G-JNE1-FT |
GD5F1GQ4UEYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ4UEYIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ4UFYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ4UFYIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GQ4UEYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GQ4UEYIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GQ4UFYIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F4GQ4RBYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F4GQ4RBYIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F4GQ4RCYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
LCMXO2280C-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A12T-1CSG325I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FG484
Microsemi Corporation
EP1AGX35CF484C6
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
EP4SGX530KH40C2
Intel
EP4SE820H35I3
Intel
XC2V4000-5FFG1152C
Xilinx Inc.
XC7A25T-L1CPG238I
Xilinx Inc.
AGL060V2-QNG132I
Microsemi Corporation