casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MB85RS256APNF-G-JNE1
Número de pieza del fabricante | MB85RS256APNF-G-JNE1 |
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Número de parte futuro | FT-MB85RS256APNF-G-JNE1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MB85RS256APNF-G-JNE1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FRAM |
Tecnología | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Tamaño de la memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frecuencia de reloj | 25MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB85RS256APNF-G-JNE1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MB85RS256APNF-G-JNE1-FT |
GD5F1GQ4UEYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ4UEYIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ4UFYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ4UFYIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GQ4UEYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GQ4UEYIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F4GQ4RBYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F4GQ4RBYIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F4GQ4RCYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
EPF10K30ATI144-3N
Intel
A54SX32A-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
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A54SX16-1VQ100I
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5SGSED6N3F45I4N
Intel
5SGSMD5H2F35I3L
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A40MX04-FPL84
Microsemi Corporation
LFXP6C-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I3N
Intel