casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / GD5F1GQ4UEYIGR
Número de pieza del fabricante | GD5F1GQ4UEYIGR |
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Número de parte futuro | FT-GD5F1GQ4UEYIGR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GD5F1GQ4UEYIGR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frecuencia de reloj | 120MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 700µs |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI - Quad I/O |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-WDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-WSON (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD5F1GQ4UEYIGR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GD5F1GQ4UEYIGR-FT |
71V016SA20PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L15PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S12PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S12PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S12PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S15PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S15PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S20PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S20PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel