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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ4UEYIGR

Número de pieza de MFG
GD5F1GQ4UEYIGR
Cantidad disponible
87410 Piezas
Precio de referencia
USD 1.987552
Nuestro precio
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Fecha de envío
Podemos enviar hoy
fabricante
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Breve descripción
- SPI NAND FLASH
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Memoria
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
GD5F1GQ4UEYIGR.pdf
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
GD5F1GQ4UEYIGR Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo de memoria Non-Volatile
Formato de memoria FLASH
Tecnología FLASH - NAND
Tamaño de la memoria 1Gb (128M x 8)
Frecuencia de reloj 120MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página 700µs
Tiempo de acceso -
interfaz de memoria SPI - Quad I/O
Suministro de voltaje 2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja 8-WDFN Exposed Pad
Paquete del dispositivo del proveedor 8-WSON (6x8)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GD5F1GQ4UEYIGR Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto GD5F1GQ4UEYIGR-FT

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